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最新技术竞赛超车台积电? 三星宣布3奈米GAA技术成功流片 - 财经 - 中时新闻网

发布时间:2022/12/28 点击量:

南朝鲜科技大厂三星电子打算在2030年成为全球系统半导体龙头,并采用极紫外光(EUV)微影技术,打算在10年内超越同为晶圆代工领域的竞争对手台积电, 3奈米制程就采用环绕闸极技术(Gate-All-AroundGAA),并在今年3月于IEEE 国际积体电路会议公布3奈米制程GAA技术细节。最新消息指出,三星的3奈米制程已经成功流片。

GAA技术拥有更好的静电特性,可满足某些栅极宽度的需求,并有2种架构,一种是采用奈米线做为电晶体鳍片的GAAFET,另外一种则是采用CMOS、以奈米片形式的较厚鳍片的多桥通道场效应电子电晶体 MBCFET,一般大多是以GAAFET来描述,以及2款基于奈米片设计的3GAAE和3GAAP。

GAAFET早在1988年就问世,该种设计更有效扩张接触面积,理论上让性能与功耗大幅改善,但在当时电晶体通道只能加宽1或2倍,精度难以控制,甚至使得效率变差,导致同为多重闸道 3D 电晶体的鳍式场效电晶体(FinFET),更早一步被业界踏入雪铁龙制程领域广为使用。

三星当时表示,与该公司的7奈米LPP制程相比,3GAAE制程可以在同样功耗下提高性能30%,或是在同样频率下降低功耗50%,电晶体密度提升80%。三星预计MBCFET将在2022年投产。

台积电则是在日前的技术论坛强调,3奈米制程发展顺利,将照时程于 2022 下半年量产。

据《新浪财经》报导,三星3奈米正式流片 (Tape Out),主要是与新思科技 (Synopsys) 合作,加速为 GAA技术提供最优化解决方案,因为三星3奈米与台积电、英特尔目前采用的FinFET架构不同,需要新设计与认证工具,所以采用Fusion Design Platform,该制程设计套件(PDK) 于 2019 年 5 月发布,并在2020 年通过制程技术认证。

预料三星3奈米制程GAA技术将运用在高效能运算 (HPC)、5G、通讯、AI等应用领域上。

三星代工设计技术团队副总裁 Sangyun Kim指出,三星代工是推动下一阶段行业创新的核心,三星不断发展新的技术制程,满足专业和广泛市场应用不断增长的需求,并受惠于与新思科技合作,Fusion Design Platform 加速准备以有效实现 3奈米制程技术承诺,证明关键联盟的优势。

至于台积电,GAA技术将进展到2奈米制程CMOS开始导入,目前正以3奈米制程维持FinFET架构,将重点放在 2 奈米以外节点,以及3D电晶体、新内存以及low-R interconnect 等领域,为各项技术平台创造发展基础,并且加强Fab 12 的研发N3、N2甚至更高阶的雪铁龙制程节点。

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